Layer-compensated selectively doped AlxG-xAs/GaAs heterostructures as a base material for nanolithography
D. Reuter, D. Kähler, U. Kunze, A.D. Wieck, Semiconductor Science and Technology (2002) 603–607.
LibreCat: /record/8747
DOI: 10.1088/0268-1242/16/7/314

Layer-compensated selectively doped AlxG-xAs/GaAs heterostructures as a base material for nanolithography
D. Reuter, D. Kähler, U. Kunze, A.D. Wieck, Semiconductor Science and Technology (2002) 603–607.
LibreCat: /record/8768
DOI: 10.1088/0268-1242/16/7/314

Hybridfügen – Grundlagen, Technologie, Anwendungen
G. Meschut, in: DVM-Bericht 668, Berlin, 2001, pp. 119–134.
LibreCat: /record/21009

Medienbildung und Gesellschaft
J. Fromme, S. Ganguin, S. Iske, D.M. Meister, U. Sander, eds., Medienbildung und Gesellschaft, VS Verlag, 2000.
LibreCat: /record/18121

Eine quasistationäre Meßmethode zur Ermittlung der Wärmeleitfähigkeit polymerer Zwischenschichten in Abhängigkeit von der Temperatur
M. Koyro, G. Meschut, in: Tagungsband Zur Veranstaltung Werkstoffprüfung 1999, 1999, pp. 173–184.
LibreCat: /record/20992

Coherent Dynamics of Exciton Wavepackets in Semiconductor Heterostructures
T. Meier, M. Koch, J. Feldmann, E.O. Göbel, F. Jahnke, W. Schäfer, P. Thomas, S.W. Koch, H. Nickel, S. Luttgen, W. Stolz, in: Proceedings Der 8. International Winterschool on New Developments in Physics, IOP Publishing, 1994, pp. 1965–1971.
LibreCat: /record/43450
DOI: 10.1088/0268-1242/9/11S/018