@inproceedings{62725,
  abstract     = {{Aluminium-Silizium-Legierungen (AlSi) werden insbesondere bei der gießtechnischen
Herstellung von Leichtbaukomponenten für Fahrzeuge verwendet. Dieses Legierungssystem hat hervorragende
Gießeigenschaften bei gleichzeitig akzeptablen mechanischen Eigenschaften. Aufgrund des hohen
Silizium-(Si)-Gehaltes, wodurch die Volumenkontraktion im Phasenübergang von flüssig-fest nahezu
unterbunden wird, neigen AlSi-Legierungen dazu, feinere oder gröbere Si-Platten bei unterschiedlichen
Erstarrungsgeschwindigkeiten zu bilden. Um die mechanischen Eigenschaften zu verbessern, werden
dem Legierungssystem in der Schmelzphase entweder Natrium (Na) oder Strontium (Sr) zugesetzt. Dies
hat zur Folge, dass sich eine fein lamellare Si-Morphologie bei der Erstarrung ausbildet; dies kann ebenfalls
durch hohe Erstarrungsgeschwindigkeiten erreicht werden. Ein nachfolgendes Lösungsglühen bewirkt
eine Sphäroidisierung der Si-Partikel und dient der Steigerung der Duktilität. Aktuell fehlen fundierte
Erkenntnisse zur Ausprägung der Si-Morphologie in Abhängigkeit der Erstarrungsgeschwindigkeit oder
infolge einer Wärmebehandlung. Vor diesem Hintergrund werden in dieser Studie verschiedene Behandlungsparameter
in Bezug auf das Einformverhalten der Si-Partikel mit einem bildauswertenden Verfahren
evaluiert sowie unter Bezug auf verschiedene chemische Zusammensetzungen miteinander korreliert.}},
  author       = {{Neuser, Moritz and Cichon, Gerrit and Hoyer, Kay-Peter and Schaper, Mirko}},
  booktitle    = {{Bildauswertendes Verfahren zur Evaluierung der Mikrostruktur von AlSi-Systemen}},
  isbn         = {{978-3-88355-454-9}},
  keywords     = {{Bildauswertendes Verfahren, Mikrostrukturanalyse, AlSi-System, Si-Morphologie}},
  location     = {{Dresden}},
  pages        = {{454 -- 459}},
  publisher    = {{Deutsche Gesellschaft für Materialkunde (DGM)}},
  title        = {{{Bildauswertendes Verfahren zur Evaluierung der Mikrostruktur von AlSi-Systemen}}},
  volume       = {{43}},
  year         = {{2025}},
}

@article{4379,
  abstract     = {{Uniform mesoporous Si double layers are formed on 4 inch p-type < 100> wafers with an off orientation of 6º towards < 111> by means of electrochemical etching in ethanoic-based HF electrolytes. These substrates are of interest for the epitaxial growth of III–V compound semiconductor stacks on their top for the production of multi-junction solar cells and very thin electronic devices. We demonstrate transfer of porous layers after an annealing process in hydrogen atmosphere. Electron Back-Scatter Diffraction analysis confirms that the substrate orientation is conserved during the etching and annealing steps. Confocal μ-Raman spectroscopy analysis shows a decrease in the Raman signal intensity after etching and a subsequent increase after annealing while no shift is observed. By means of Atomic Force Microscopy, analysis the surface appearance after the etching and annealing steps can be visualized. The mean surface roughness varies during the process from 0.55 nm for the unprocessed wafers to 0.27 nm after etching and 0.78 nm after annealing. The decrease of average roughness after etching is caused by an electropolishing step prior to porous formation. Despite of slight increase of mean surface roughness after annealing the samples are still appropriate for high quality epitaxial growth and subsequent lift-off.}},
  author       = {{Garralaga Rojas, E. and Terheiden, B. and Plagwitz, H. and Hensen, J. and Wiedemeier, V. and Berth, Gerhard and Zrenner, Artur and Brendel, R.}},
  issn         = {{0040-6090}},
  journal      = {{Thin Solid Films}},
  keywords     = {{Porous Si, Layer transfer, Thin-film, Photovoltaics}},
  number       = {{1}},
  pages        = {{606--609}},
  publisher    = {{Elsevier BV}},
  title        = {{{Lift-off of mesoporous layers by electrochemical etching on Si (100) substrates with miscut of 6° off towards (111)}}},
  doi          = {{10.1016/j.tsf.2011.07.063}},
  volume       = {{520}},
  year         = {{2011}},
}