---
_id: '4204'
abstract:
- lang: eng
text: "A comparative theoretical investigation of carbon interstitials in silicon
is presented. Calculations using\r\nclassical potentials are compared to first-principles
density-functional theory calculations of the geometries,\r\nformation, and activation
energies of the carbon dumbbell interstitial, showing the importance of a quantummechanical\r\ndescription
of this system. In contrast to previous studies, the present first-principles
calculations of\r\nthe interstitial carbon migration path yield an activation
energy that excellently matches the experiment. The\r\nbond-centered interstitial
configuration shows a net magnetization of two electrons, illustrating the need
for\r\nspin-polarized calculations."
article_number: '094110'
article_type: original
author:
- first_name: F.
full_name: Zirkelbach, F.
last_name: Zirkelbach
- first_name: B.
full_name: Stritzker, B.
last_name: Stritzker
- first_name: K.
full_name: Nordlund, K.
last_name: Nordlund
- first_name: Jörg
full_name: Lindner, Jörg
id: '20797'
last_name: Lindner
- first_name: W. G.
full_name: Schmidt, W. G.
last_name: Schmidt
- first_name: E.
full_name: Rauls, E.
last_name: Rauls
citation:
ama: Zirkelbach F, Stritzker B, Nordlund K, Lindner J, Schmidt WG, Rauls E. Defects
in carbon implanted silicon calculated by classical potentials and first-principles
methods. Physical Review B. 2010;82(9). doi:10.1103/physrevb.82.094110
apa: Zirkelbach, F., Stritzker, B., Nordlund, K., Lindner, J., Schmidt, W. G., &
Rauls, E. (2010). Defects in carbon implanted silicon calculated by classical
potentials and first-principles methods. Physical Review B, 82(9).
https://doi.org/10.1103/physrevb.82.094110
bibtex: '@article{Zirkelbach_Stritzker_Nordlund_Lindner_Schmidt_Rauls_2010, title={Defects
in carbon implanted silicon calculated by classical potentials and first-principles
methods}, volume={82}, DOI={10.1103/physrevb.82.094110},
number={9094110}, journal={Physical Review B}, publisher={American Physical Society
(APS)}, author={Zirkelbach, F. and Stritzker, B. and Nordlund, K. and Lindner,
Jörg and Schmidt, W. G. and Rauls, E.}, year={2010} }'
chicago: Zirkelbach, F., B. Stritzker, K. Nordlund, Jörg Lindner, W. G. Schmidt,
and E. Rauls. “Defects in Carbon Implanted Silicon Calculated by Classical Potentials
and First-Principles Methods.” Physical Review B 82, no. 9 (2010). https://doi.org/10.1103/physrevb.82.094110.
ieee: F. Zirkelbach, B. Stritzker, K. Nordlund, J. Lindner, W. G. Schmidt, and E.
Rauls, “Defects in carbon implanted silicon calculated by classical potentials
and first-principles methods,” Physical Review B, vol. 82, no. 9, 2010.
mla: Zirkelbach, F., et al. “Defects in Carbon Implanted Silicon Calculated by Classical
Potentials and First-Principles Methods.” Physical Review B, vol. 82, no.
9, 094110, American Physical Society (APS), 2010, doi:10.1103/physrevb.82.094110.
short: F. Zirkelbach, B. Stritzker, K. Nordlund, J. Lindner, W.G. Schmidt, E. Rauls,
Physical Review B 82 (2010).
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- 1098-0121
- 1550-235X
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publisher: American Physical Society (APS)
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first-principles methods
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volume: 82
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...
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- first_name: Jörg
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citation:
ama: 'Lindner J. Advanced topics and applications of Transmission Electron Microscopy,
Part I-II. In: ; 2010.'
apa: Lindner, J. (2010). Advanced topics and applications of Transmission Electron
Microscopy, Part I-II. Presented at the Guest Lectures at Departamento de Fisica
Applicada, Master de Materiales Avanzados y Nanotecnologias , Universidad Autónoma
de Madrid (Spain).
bibtex: '@inproceedings{Lindner_2010, title={Advanced topics and applications of
Transmission Electron Microscopy, Part I-II}, author={Lindner, Jörg}, year={2010}
}'
chicago: Lindner, Jörg. “Advanced Topics and Applications of Transmission Electron
Microscopy, Part I-II,” 2010.
ieee: J. Lindner, “Advanced topics and applications of Transmission Electron Microscopy,
Part I-II,” presented at the Guest Lectures at Departamento de Fisica Applicada,
Master de Materiales Avanzados y Nanotecnologias , Universidad Autónoma de Madrid
(Spain), 2010.
mla: Lindner, Jörg. Advanced Topics and Applications of Transmission Electron
Microscopy, Part I-II. 2010.
short: 'J. Lindner, in: 2010.'
conference:
end_date: 2010-04-16
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I-II
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...
---
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citation:
ama: Ila D, Kishimoto N, Lindner J, Baglin J, eds. Ion Beams and Nano-Engineering.
Vol 1181. MRS Symposium Proceedings ; 2010.
apa: 'Ila, D., Kishimoto, N., Lindner, J., & Baglin, J. (Eds.). (2010). Ion
Beams and Nano-Engineering (Vol. 1181). Presented at the MRS Spring Meeting
2009, San Francisco (USA): MRS Symposium Proceedings .'
bibtex: '@book{Ila_Kishimoto_Lindner_Baglin_2010, title={Ion Beams and Nano-Engineering},
volume={1181}, publisher={MRS Symposium Proceedings }, year={2010} }'
chicago: Ila, D., N. Kishimoto, Jörg Lindner, and J. Baglin, eds. Ion Beams
and Nano-Engineering. Vol. 1181. MRS Symposium Proceedings , 2010.
ieee: D. Ila, N. Kishimoto, J. Lindner, and J. Baglin, Eds., Ion Beams and Nano-Engineering,
vol. 1181. MRS Symposium Proceedings , 2010.
mla: Ila, D., et al., editors. Ion Beams and Nano-Engineering. Vol. 1181,
MRS Symposium Proceedings , 2010.
short: D. Ila, N. Kishimoto, J. Lindner, J. Baglin, eds., Ion Beams and Nano-Engineering,
MRS Symposium Proceedings , 2010.
conference:
location: San Francisco (USA)
name: MRS Spring Meeting 2009
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- first_name: D.
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- iso: eng
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isbn:
- 978-1-60511-154-4
publication_status: published
publisher: 'MRS Symposium Proceedings '
status: public
title: Ion Beams and Nano-Engineering
type: book_editor
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volume: 1181
year: '2010'
...
---
_id: '4208'
abstract:
- lang: eng
text: Growth of GaN on Si(111) potentially enables cost efficient manufacturing
of optoelectronic devices due to the possibility of using cheap large area substrates.
However, GaN layers grown on Si(111) substrates suffer from high tensile stress
that can lead to cracking at layer thicknesses exceeding 1 μm. Another challenge
is the high dislocation density of GaN layers grown on Si(111) which is detrimental
to device performance. In this paper we show that a step graded AlGaN buffer layer
can compensate tensile stress, avoiding cracking, and at the same time reduce
the dislocation density. An additional SiNx interlayer in the GaN layer is shown
to further reduce the dislocation density down to the high 108 /cm². Weak beam
dark field TEM was used to study the dislocation reduction in cross sectional
samples and for comparison of the step graded AlGaN buffer layer structure to
a continuously graded one. STEM ADF was used to determine the exact location of
dislocation bending with respect to the position of the interface.
article_number: '012017'
article_type: original
author:
- first_name: M
full_name: Häberlen, M
last_name: Häberlen
- first_name: D
full_name: Zhu, D
last_name: Zhu
- first_name: C
full_name: McAleese, C
last_name: McAleese
- first_name: M J
full_name: Kappers, M J
last_name: Kappers
- first_name: C J
full_name: Humphreys, C J
last_name: Humphreys
citation:
ama: 'Häberlen M, Zhu D, McAleese C, Kappers MJ, Humphreys CJ. Dislocation reduction
in MOVPE grown GaN layers on (111)Si using SiNxand AlGaN layers. Journal of
Physics: Conference Series. 2010;209. doi:10.1088/1742-6596/209/1/012017'
apa: 'Häberlen, M., Zhu, D., McAleese, C., Kappers, M. J., & Humphreys, C. J.
(2010). Dislocation reduction in MOVPE grown GaN layers on (111)Si using SiNxand
AlGaN layers. Journal of Physics: Conference Series, 209. https://doi.org/10.1088/1742-6596/209/1/012017'
bibtex: '@article{Häberlen_Zhu_McAleese_Kappers_Humphreys_2010, title={Dislocation
reduction in MOVPE grown GaN layers on (111)Si using SiNxand AlGaN layers}, volume={209},
DOI={10.1088/1742-6596/209/1/012017},
number={012017}, journal={Journal of Physics: Conference Series}, publisher={IOP
Publishing}, author={Häberlen, M and Zhu, D and McAleese, C and Kappers, M J and
Humphreys, C J}, year={2010} }'
chicago: 'Häberlen, M, D Zhu, C McAleese, M J Kappers, and C J Humphreys. “Dislocation
Reduction in MOVPE Grown GaN Layers on (111)Si Using SiNxand AlGaN Layers.” Journal
of Physics: Conference Series 209 (2010). https://doi.org/10.1088/1742-6596/209/1/012017.'
ieee: 'M. Häberlen, D. Zhu, C. McAleese, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, “Dislocation
reduction in MOVPE grown GaN layers on (111)Si using SiNxand AlGaN layers,” Journal
of Physics: Conference Series, vol. 209, 2010.'
mla: 'Häberlen, M., et al. “Dislocation Reduction in MOVPE Grown GaN Layers on (111)Si
Using SiNxand AlGaN Layers.” Journal of Physics: Conference Series, vol.
209, 012017, IOP Publishing, 2010, doi:10.1088/1742-6596/209/1/012017.'
short: 'M. Häberlen, D. Zhu, C. McAleese, M.J. Kappers, C.J. Humphreys, Journal
of Physics: Conference Series 209 (2010).'
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- '530'
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and AlGaN layers.pdf
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- iso: eng
publication: 'Journal of Physics: Conference Series'
publication_identifier:
issn:
- 1742-6596
publication_status: published
publisher: IOP Publishing
status: public
title: Dislocation reduction in MOVPE grown GaN layers on (111)Si using SiNxand AlGaN
layers
type: journal_article
user_id: '55706'
volume: 209
year: '2010'
...
---
_id: '4210'
abstract:
- lang: eng
text: "In this paper we demonstrate a strain-driven GaN interlayer method to reduce
dislocation densities in GaN grown on (111) oriented silicon by metal organic
vapour phase epitaxy (MOVPE). In order to achieve crack-free GaN layers of\r\nreasonable
thicknesses and dislocation densities it is crucial to integrate both dislocation
reduction and strain management layers. In contrast to techniques like FACELO
or nanoELO we show the in situ formation of GaN islands directly on the AlN nucleation
layer without the need to deposit a SiO2 or SiNx mask. A graded AlGaN layer for
strain management can be grown on top of this dislocation reducing 3D GaN inter-layer
in order to achieve crack-free GaN layers grown on top of the AlGaN strain management
layer. Furthermore, an additional SiNx layer for subsequent dislocation reduction
can also be incorporated into the structure and is shown to efficiently reduce
the dislocation density down to the low 10^9 cm^2. The structural properties of
the 3D GaN island buffer layer and overgrown\r\nsamples are studied by means of
SEM, cross-sectional, and plan view TEM. Cathodoluminiscence in an SEM is employed
to correlate the dislocation microstructure as observed by plan view TEM with
luminescent properties."
article_type: original
author:
- first_name: Maik
full_name: Häberlen, Maik
last_name: Häberlen
- first_name: Dandan
full_name: Zhu, Dandan
last_name: Zhu
- first_name: Clifford
full_name: McAleese, Clifford
last_name: McAleese
- first_name: Tongtong
full_name: Zhu, Tongtong
last_name: Zhu
- first_name: Menno J.
full_name: Kappers, Menno J.
last_name: Kappers
- first_name: Colin J.
full_name: Humphreys, Colin J.
last_name: Humphreys
citation:
ama: Häberlen M, Zhu D, McAleese C, Zhu T, Kappers MJ, Humphreys CJ. Dislocation
reduction in GaN grown on Si(111) using a strain-driven 3D GaN interlayer. physica
status solidi (b). 2010;247(7):1753-1756. doi:10.1002/pssb.200983537
apa: Häberlen, M., Zhu, D., McAleese, C., Zhu, T., Kappers, M. J., & Humphreys,
C. J. (2010). Dislocation reduction in GaN grown on Si(111) using a strain-driven
3D GaN interlayer. Physica Status Solidi (B), 247(7), 1753–1756.
https://doi.org/10.1002/pssb.200983537
bibtex: '@article{Häberlen_Zhu_McAleese_Zhu_Kappers_Humphreys_2010, title={Dislocation
reduction in GaN grown on Si(111) using a strain-driven 3D GaN interlayer}, volume={247},
DOI={10.1002/pssb.200983537},
number={7}, journal={physica status solidi (b)}, publisher={Wiley}, author={Häberlen,
Maik and Zhu, Dandan and McAleese, Clifford and Zhu, Tongtong and Kappers, Menno
J. and Humphreys, Colin J.}, year={2010}, pages={1753–1756} }'
chicago: 'Häberlen, Maik, Dandan Zhu, Clifford McAleese, Tongtong Zhu, Menno J.
Kappers, and Colin J. Humphreys. “Dislocation Reduction in GaN Grown on Si(111)
Using a Strain-Driven 3D GaN Interlayer.” Physica Status Solidi (B) 247,
no. 7 (2010): 1753–56. https://doi.org/10.1002/pssb.200983537.'
ieee: M. Häberlen, D. Zhu, C. McAleese, T. Zhu, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys,
“Dislocation reduction in GaN grown on Si(111) using a strain-driven 3D GaN interlayer,”
physica status solidi (b), vol. 247, no. 7, pp. 1753–1756, 2010.
mla: Häberlen, Maik, et al. “Dislocation Reduction in GaN Grown on Si(111) Using
a Strain-Driven 3D GaN Interlayer.” Physica Status Solidi (B), vol. 247,
no. 7, Wiley, 2010, pp. 1753–56, doi:10.1002/pssb.200983537.
short: M. Häberlen, D. Zhu, C. McAleese, T. Zhu, M.J. Kappers, C.J. Humphreys, Physica
Status Solidi (B) 247 (2010) 1753–1756.
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- '530'
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- _id: '15'
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GaN interlayer.pdf
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- iso: eng
page: 1753-1756
publication: physica status solidi (b)
publication_identifier:
issn:
- 0370-1972
- 1521-3951
publication_status: published
publisher: Wiley
status: public
title: Dislocation reduction in GaN grown on Si(111) using a strain-driven 3D GaN
interlayer
type: journal_article
user_id: '55706'
volume: 247
year: '2010'
...
---
_id: '4212'
abstract:
- lang: eng
text: "Low temperature cathodo- and photoluminescence has been performed on nonpolar
a-plane GaN films grown using epitaxial lateral overgrowth. In films overgrown
at a low V–III ratio, the emission spectrum is dominated by “yellow” and “blue”
luminescence bands, attributed to recombination at point defects or impurities.
The intensity of this emission is observed to decrease steadily across the window
region along the −c direction, possibly due to asymmetric diffusion of a point
defect/impurity species. When overgrown at a higher V–III ratio, the near band
edge and basal-plane stacking fault emission intensity increases by orders of
magnitude and a donor–acceptor pair band is observed. Using monochromatic cathodoluminescence
imaging, the various emission features are correlated with the microstructure
of the film. In particular, the peak energy of the basal-plane stacking fault
emission is seen to be blueshifted by \x0415 meV in the wing relative to the window
region, which may be related to the different strain states in the respective
regions."
article_number: '033523'
article_type: original
author:
- first_name: M.
full_name: Häberlen, M.
last_name: Häberlen
- first_name: T. J.
full_name: Badcock, T. J.
last_name: Badcock
- first_name: M. A.
full_name: Moram, M. A.
last_name: Moram
- first_name: J. L.
full_name: Hollander, J. L.
last_name: Hollander
- first_name: M. J.
full_name: Kappers, M. J.
last_name: Kappers
- first_name: P.
full_name: Dawson, P.
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- first_name: C. J.
full_name: Humphreys, C. J.
last_name: Humphreys
- first_name: R. A.
full_name: Oliver, R. A.
last_name: Oliver
citation:
ama: Häberlen M, Badcock TJ, Moram MA, et al. Low temperature photoluminescence
and cathodoluminescence studies of nonpolar GaN grown using epitaxial lateral
overgrowth. Journal of Applied Physics. 2010;108(3). doi:10.1063/1.3460641
apa: Häberlen, M., Badcock, T. J., Moram, M. A., Hollander, J. L., Kappers, M. J.,
Dawson, P., … Oliver, R. A. (2010). Low temperature photoluminescence and cathodoluminescence
studies of nonpolar GaN grown using epitaxial lateral overgrowth. Journal of
Applied Physics, 108(3). https://doi.org/10.1063/1.3460641
bibtex: '@article{Häberlen_Badcock_Moram_Hollander_Kappers_Dawson_Humphreys_Oliver_2010,
title={Low temperature photoluminescence and cathodoluminescence studies of nonpolar
GaN grown using epitaxial lateral overgrowth}, volume={108}, DOI={10.1063/1.3460641},
number={3033523}, journal={Journal of Applied Physics}, publisher={AIP Publishing},
author={Häberlen, M. and Badcock, T. J. and Moram, M. A. and Hollander, J. L.
and Kappers, M. J. and Dawson, P. and Humphreys, C. J. and Oliver, R. A.}, year={2010}
}'
chicago: Häberlen, M., T. J. Badcock, M. A. Moram, J. L. Hollander, M. J. Kappers,
P. Dawson, C. J. Humphreys, and R. A. Oliver. “Low Temperature Photoluminescence
and Cathodoluminescence Studies of Nonpolar GaN Grown Using Epitaxial Lateral
Overgrowth.” Journal of Applied Physics 108, no. 3 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3460641.
ieee: M. Häberlen et al., “Low temperature photoluminescence and cathodoluminescence
studies of nonpolar GaN grown using epitaxial lateral overgrowth,” Journal
of Applied Physics, vol. 108, no. 3, 2010.
mla: Häberlen, M., et al. “Low Temperature Photoluminescence and Cathodoluminescence
Studies of Nonpolar GaN Grown Using Epitaxial Lateral Overgrowth.” Journal
of Applied Physics, vol. 108, no. 3, 033523, AIP Publishing, 2010, doi:10.1063/1.3460641.
short: M. Häberlen, T.J. Badcock, M.A. Moram, J.L. Hollander, M.J. Kappers, P. Dawson,
C.J. Humphreys, R.A. Oliver, Journal of Applied Physics 108 (2010).
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non-polar GaN grown using epitaxial lateral overgrowth.pdf
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publication: Journal of Applied Physics
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- 0021-8979
- 1089-7550
publication_status: published
publisher: AIP Publishing
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title: Low temperature photoluminescence and cathodoluminescence studies of nonpolar
GaN grown using epitaxial lateral overgrowth
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user_id: '55706'
volume: 108
year: '2010'
...
---
_id: '4214'
abstract:
- lang: eng
text: "Non-polar a -plane (1 1 2 ̄ 0) GaN films were grown on r-plane sapphire by
metal–organic vapor phase epitaxy and were subsequently annealed for 90 min at
1070°C. Most dislocations were partial\r\ndislocations, which terminated basal
plane stacking faults. Prior to annealing, these dislocations were\r\nrandomly
distributed. After annealing, these dislocations moved into arrays oriented along
the [0 0 0 1]\r\ndirection and aligned perpendicular to the film–substrate interface
throughout their length, although\r\nthe total dislocation density remained unchanged.
These changes were accompanied by broadening of\r\nthe symmetric X-ray diffraction
1 1 2 ̄ 0 w-scan widths. The mechanism of movement was identified as\r\ndislocation
glide, occurring due to highly anisotropic stresses (confirmed by X-ray diffraction
lattice\r\nparameter measurements) and evidenced by macroscopic slip bands observed
on the sample surface.\r\nThere was also an increase in the density of unintentionally
n-type doped electrically conductive\r\ninclined features present at the film–substrate
interface (as observed in cross-section using scanning\r\ncapacitance microscopy),
suggesting out-diffusion of impurities from the substrate along with prismatic\r\nstacking
faults. These data suggest that annealing processes performed close to film growth\r\ntemperatures
can affect both the microstructure and the electrical properties of non-polar
GaN films."
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author:
- first_name: Rui
full_name: Hao, Rui
last_name: Hao
- first_name: T.
full_name: Zhu, T.
last_name: Zhu
- first_name: M.
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- first_name: M.A.
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last_name: Moram
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ama: Hao R, Zhu T, Häberlen M, et al. The effects of annealing on non-polar (112¯0)
a-plane GaN films. Journal of Crystal Growth. 2010;312(23):3536-3543. doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.08.041
apa: Hao, R., Zhu, T., Häberlen, M., Chang, T. Y., Kappers, M. J., Oliver, R. A.,
… Moram, M. A. (2010). The effects of annealing on non-polar (112¯0) a-plane GaN
films. Journal of Crystal Growth, 312(23), 3536–3543. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.08.041
bibtex: '@article{Hao_Zhu_Häberlen_Chang_Kappers_Oliver_Humphreys_Moram_2010, title={The
effects of annealing on non-polar (112¯0) a-plane GaN films}, volume={312}, DOI={10.1016/j.jcrysgro.2010.08.041},
number={23}, journal={Journal of Crystal Growth}, publisher={Elsevier BV}, author={Hao,
Rui and Zhu, T. and Häberlen, M. and Chang, T.Y. and Kappers, M.J. and Oliver,
R.A. and Humphreys, C.J. and Moram, M.A.}, year={2010}, pages={3536–3543} }'
chicago: 'Hao, Rui, T. Zhu, M. Häberlen, T.Y. Chang, M.J. Kappers, R.A. Oliver,
C.J. Humphreys, and M.A. Moram. “The Effects of Annealing on Non-Polar (112¯0)
a-Plane GaN Films.” Journal of Crystal Growth 312, no. 23 (2010): 3536–43.
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.08.041.'
ieee: R. Hao et al., “The effects of annealing on non-polar (112¯0) a-plane
GaN films,” Journal of Crystal Growth, vol. 312, no. 23, pp. 3536–3543,
2010.
mla: Hao, Rui, et al. “The Effects of Annealing on Non-Polar (112¯0) a-Plane GaN
Films.” Journal of Crystal Growth, vol. 312, no. 23, Elsevier BV, 2010,
pp. 3536–43, doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.08.041.
short: R. Hao, T. Zhu, M. Häberlen, T.Y. Chang, M.J. Kappers, R.A. Oliver, C.J.
Humphreys, M.A. Moram, Journal of Crystal Growth 312 (2010) 3536–3543.
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...
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abstract:
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text: "In non-annealed 6H-SiC samples that were electron irradiated at room temperature,
a new\r\nEPR signal due to a S=1 defect center with exceptionally large zero-field
splitting (D = +652·10-4\r\ncm-1) has been observed under illumination. A positive
sign of D demonstrates that the spin-orbit\r\ncontribution to the zero-field splitting
exceeds by far that of the spin-spin interaction. A principal\r\naxis of the fine
structure tilted by 59° against the crystal c-axis as well as the exceptionally
high\r\nzero-field splitting D can be qualitatively understood by the occurrence
of additional close-lying\r\ndefect levels in defect clusters resulting in comparatively
large second-order spin-orbit coupling. A\r\ntentative assignment to vacancy clusters
is supported by the observed annealing behavior."
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ama: Scholle A, Greulich-Weber S, Rauls E, Schmidt WG, Gerstmann U. Fine Structure
of Triplet Centers in Room Temperature Irradiated 6H-SiC. Materials Science
Forum. 2010;645-648:403-406. doi:10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.403
apa: Scholle, A., Greulich-Weber, S., Rauls, E., Schmidt, W. G., & Gerstmann,
U. (2010). Fine Structure of Triplet Centers in Room Temperature Irradiated 6H-SiC.
Materials Science Forum, 645–648, 403–406. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.403
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Structure of Triplet Centers in Room Temperature Irradiated 6H-SiC}, volume={645–648},
DOI={10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.403},
journal={Materials Science Forum}, publisher={Trans Tech Publications}, author={Scholle,
Andreas and Greulich-Weber, Siegmund and Rauls, Eva and Schmidt, Wolf Gero and
Gerstmann, Uwe}, year={2010}, pages={403–406} }'
chicago: 'Scholle, Andreas, Siegmund Greulich-Weber, Eva Rauls, Wolf Gero Schmidt,
and Uwe Gerstmann. “Fine Structure of Triplet Centers in Room Temperature Irradiated
6H-SiC.” Materials Science Forum 645–648 (2010): 403–6. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.403.'
ieee: A. Scholle, S. Greulich-Weber, E. Rauls, W. G. Schmidt, and U. Gerstmann,
“Fine Structure of Triplet Centers in Room Temperature Irradiated 6H-SiC,” Materials
Science Forum, vol. 645–648, pp. 403–406, 2010.
mla: Scholle, Andreas, et al. “Fine Structure of Triplet Centers in Room Temperature
Irradiated 6H-SiC.” Materials Science Forum, vol. 645–648, Trans Tech Publications,
2010, pp. 403–06, doi:10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.403.
short: A. Scholle, S. Greulich-Weber, E. Rauls, W.G. Schmidt, U. Gerstmann, Materials
Science Forum 645–648 (2010) 403–406.
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ama: 'Becker J, Beverungen D, Knackstedt R, Müller O, Müller S. TCO-as-a-Service
--- Servicebasierte Lebenszyklusrechnung für hybride Leistungsbündel. In: Becker
J, Knackstedt R, Müller O, Winkelmann A, eds. Vertriebsinformationssysteme
--- Standardisierung, Individualisierung, Hybridisierung Und Internetisierung.
Berlin, Heidelberg; 2010:161--174. doi:10.1007/978-3-642-11859-3_10'
apa: Becker, J., Beverungen, D., Knackstedt, R., Müller, O., & Müller, S. (2010).
TCO-as-a-Service --- Servicebasierte Lebenszyklusrechnung für hybride Leistungsbündel.
In J. Becker, R. Knackstedt, O. Müller, & A. Winkelmann (Eds.), Vertriebsinformationssysteme
--- Standardisierung, Individualisierung, Hybridisierung und Internetisierung
(pp. 161--174). Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-11859-3_10
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für hybride Leistungsbündel}, DOI={10.1007/978-3-642-11859-3_10},
booktitle={Vertriebsinformationssysteme --- Standardisierung, Individualisierung,
Hybridisierung und Internetisierung}, author={Becker, Jörg and Beverungen, Daniel
and Knackstedt, Ralf and Müller, Oliver and Müller, Steffen}, editor={Becker,
Jörg and Knackstedt, Ralf and Müller, Oliver and Winkelmann, AxelEditors}, year={2010},
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chicago: Becker, Jörg, Daniel Beverungen, Ralf Knackstedt, Oliver Müller, and Steffen
Müller. “TCO-as-a-Service --- Servicebasierte Lebenszyklusrechnung Für Hybride
Leistungsbündel.” In Vertriebsinformationssysteme --- Standardisierung, Individualisierung,
Hybridisierung Und Internetisierung, edited by Jörg Becker, Ralf Knackstedt,
Oliver Müller, and Axel Winkelmann, 161--174. Berlin, Heidelberg, 2010. https://doi.org/10.1007/978-3-642-11859-3_10.
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--- Servicebasierte Lebenszyklusrechnung für hybride Leistungsbündel,” in Vertriebsinformationssysteme
--- Standardisierung, Individualisierung, Hybridisierung und Internetisierung,
J. Becker, R. Knackstedt, O. Müller, and A. Winkelmann, Eds. Berlin, Heidelberg,
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Für Hybride Leistungsbündel.” Vertriebsinformationssysteme --- Standardisierung,
Individualisierung, Hybridisierung Und Internetisierung, edited by Jörg Becker
et al., 2010, pp. 161--174, doi:10.1007/978-3-642-11859-3_10.
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R. Knackstedt, O. Müller, A. Winkelmann (Eds.), Vertriebsinformationssysteme ---
Standardisierung, Individualisierung, Hybridisierung Und Internetisierung, Berlin,
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ama: 'Beverungen D, Knackstedt R, Winkelmann A. E-Services im Handel --- Auffindung
und Dokumentation von Potenzialen zur Digitalisierung von Dienstleistungen für
Hersteller und Kunden. In: Becker J, Knackstedt R, Müller O, Winkelmann A, eds.
Vertriebsinformationssysteme --- Standardisierung, Individualisierung, Hybridisierung
Und Internetisierung. Berlin, Heidelberg; 2010:177--193. doi:10.1007/978-3-642-11859-3_11'
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Handel --- Auffindung und Dokumentation von Potenzialen zur Digitalisierung von
Dienstleistungen für Hersteller und Kunden. In J. Becker, R. Knackstedt, O. Müller,
& A. Winkelmann (Eds.), Vertriebsinformationssysteme --- Standardisierung,
Individualisierung, Hybridisierung und Internetisierung (pp. 177--193). Berlin,
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Handel --- Auffindung Und Dokumentation von Potenzialen Zur Digitalisierung von
Dienstleistungen Für Hersteller Und Kunden.” In Vertriebsinformationssysteme
--- Standardisierung, Individualisierung, Hybridisierung Und Internetisierung,
edited by Jörg Becker, Ralf Knackstedt, Oliver Müller, and Axel Winkelmann, 177--193.
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Auffindung und Dokumentation von Potenzialen zur Digitalisierung von Dienstleistungen
für Hersteller und Kunden,” in Vertriebsinformationssysteme --- Standardisierung,
Individualisierung, Hybridisierung und Internetisierung, J. Becker, R. Knackstedt,
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von Potenzialen Zur Digitalisierung von Dienstleistungen Für Hersteller Und Kunden.”
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Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg; 2010. doi:10.1007/978-3-642-12830-1'
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K., … Frohs, M. (2010). Vermarktung hybrider Leistungsbündel. Berlin, Heidelberg:
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Hybrider Leistungsbündel. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg,
2010. https://doi.org/10.1007/978-3-642-12830-1.'
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Zur Integration von Sach- Und Dienstleistung. 2010.'
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Integration von Sach- Und Dienstleistung., Berlin, 2010.'
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ama: Kopplin A, Maßbaum A, Sureth-Sloane C. Handels- und steuerrechtliche Kapitalkontenfortschreibung
und deren Einfluss auf die Verlustverrechnung bei Personengesellschaften. Die
Wirtschaftsprüfung. 2010;63(24):1203-1211.
apa: Kopplin, A., Maßbaum, A., & Sureth-Sloane, C. (2010). Handels- und steuerrechtliche
Kapitalkontenfortschreibung und deren Einfluss auf die Verlustverrechnung bei
Personengesellschaften. Die Wirtschaftsprüfung, 63(24), 1203–1211.
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Kapitalkontenfortschreibung und deren Einfluss auf die Verlustverrechnung bei
Personengesellschaften}, volume={63}, number={24}, journal={Die Wirtschaftsprüfung},
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steuerrechtliche Kapitalkontenfortschreibung und deren Einfluss auf die Verlustverrechnung
bei Personengesellschaften.” Die Wirtschaftsprüfung 63, no. 24 (2010):
1203–11.'
ieee: A. Kopplin, A. Maßbaum, and C. Sureth-Sloane, “Handels- und steuerrechtliche
Kapitalkontenfortschreibung und deren Einfluss auf die Verlustverrechnung bei
Personengesellschaften,” Die Wirtschaftsprüfung, vol. 63, no. 24, pp. 1203–1211,
2010.
mla: Kopplin, Anja, et al. “Handels- und steuerrechtliche Kapitalkontenfortschreibung
und deren Einfluss auf die Verlustverrechnung bei Personengesellschaften.” Die
Wirtschaftsprüfung, vol. 63, no. 24, 2010, pp. 1203–11.
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1203–1211.
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Kapitalstrukturentscheidungen. Wiesbaden: Gabler. https://doi.org/10.1007/978-3-8349-6321-5'
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für die Erbschaftsteuer mit dem vereinfachten Ertragswertverfahren. Vol 108.;
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für die Erbschaftsteuer mit dem vereinfachten Ertragswertverfahren. Vol. 108.
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für die Erbschaftsteuer mit dem vereinfachten Ertragswertverfahren, vol. 108.
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unternehmerischer Investitionsentscheidungen auf der Grundlage der Konzernsteuerquote.
Die Wirtschaftsprüfung. 2010;63(20):1028-1034.
apa: Müller, J., Sureth-Sloane, C., & Läufer, C. (2010). Mögliche Fallstricke
einer Optimierung unternehmerischer Investitionsentscheidungen auf der Grundlage
der Konzernsteuerquote. Die Wirtschaftsprüfung, 63(20), 1028–1034.
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einer Optimierung unternehmerischer Investitionsentscheidungen auf der Grundlage
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Einer Optimierung Unternehmerischer Investitionsentscheidungen Auf Der Grundlage
Der Konzernsteuerquote.” Die Wirtschaftsprüfung 63, no. 20 (2010): 1028–34.'
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unternehmerischer Investitionsentscheidungen auf der Grundlage der Konzernsteuerquote,”
Die Wirtschaftsprüfung, vol. 63, no. 20, pp. 1028–1034, 2010.
mla: Müller, Jens, et al. “Mögliche Fallstricke Einer Optimierung Unternehmerischer
Investitionsentscheidungen Auf Der Grundlage Der Konzernsteuerquote.” Die Wirtschaftsprüfung,
vol. 63, no. 20, 2010, pp. 1028–34.
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on Capitalized Investment with Options to Delay and Divest (Vol. 97).
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ama: 'Sureth-Sloane C. Beteiligungsveräußerungen und Abgeltungssteuer. In: Besteuerung,
Rechnungslegung und Prüfung der Unternehmen. Wiesbaden: Gabler; 2010:453-482.
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In Besteuerung, Rechnungslegung und Prüfung der Unternehmen (pp. 453–482).
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ama: Sureth-Sloane C. Wichtigste Einflussfaktoren auf die steuerliche Verlustnutzung
bei Personengesellschaften. Steuer und Studium. 2010;31(10):497-502.
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bei Personengesellschaften. Steuer und Studium, 31(10), 497–502.
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chicago: 'Sureth-Sloane, Caren. “Wichtigste Einflussfaktoren auf die steuerliche
Verlustnutzung bei Personengesellschaften.” Steuer und Studium 31, no.
10 (2010): 497–502.'
ieee: C. Sureth-Sloane, “Wichtigste Einflussfaktoren auf die steuerliche Verlustnutzung
bei Personengesellschaften,” Steuer und Studium, vol. 31, no. 10, pp. 497–502,
2010.
mla: Sureth-Sloane, Caren. “Wichtigste Einflussfaktoren auf die steuerliche Verlustnutzung
bei Personengesellschaften.” Steuer und Studium, vol. 31, no. 10, 2010,
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ama: Gilroy BM, Lukas E, Heimann C. Welchen Einfluss Hat Die Anwesenheit von
Ausländischen Und Multinationalen Unternehmungen Auf Die Deutschen Exporte?;
2010.
apa: Gilroy, B. M., Lukas, E., & Heimann, C. (2010). Welchen Einfluss hat
die Anwesenheit von ausländischen und multinationalen Unternehmungen auf die deutschen
Exporte?
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chicago: Gilroy, Bernard Michael, Elmar Lukas, and Christian Heimann. Welchen
Einfluss Hat Die Anwesenheit von Ausländischen Und Multinationalen Unternehmungen
Auf Die Deutschen Exporte?, 2010.
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von ausländischen und multinationalen Unternehmungen auf die deutschen Exporte?
2010.
mla: Gilroy, Bernard Michael, et al. Welchen Einfluss Hat Die Anwesenheit von
Ausländischen Und Multinationalen Unternehmungen Auf Die Deutschen Exporte?
2010.
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Ausländischen Und Multinationalen Unternehmungen Auf Die Deutschen Exporte?, 2010.
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