Einfluss von Dimensionsreduzierung und Unordnung auf die optischen und elektronischen Eigenschaften von Halbleitern

Die theoretische Analyse der linearen und nichtlinearen optischen und elektronischen Eigenschaften von Halbleiterheterostrukturen unter mikroskopischer Berücksichtigung von Unordnungseffekten erfordert die selbstkonsistente Behandlung des elektromagnetischen Feldes und der Materialanregungen. Ein wichtiger Themenkomplex ist hierbei die simultane Behandlung von Unordnungs- und Vielteilchenkorrelationen. Es ist zwar bekannt, daß in homogenen Proben typischerweise Ladungsträgerkorrelationen die nichtlineare optische Antwort von Halbleiterheterostrukturen stark beeinflussen, entsprechende Untersuchungen für ungeordnete Systeme stehen jedoch aus. Ein weiterer wichtiger Themenkomplex ist die mikroskopische Beschreibung der Dynamik des elektromagnetischen Feldes und der Materialanregungen in einer unordentlichen Umgebung. Hier kann durch die Unordnung neben den Materialanregungen auch das elektromagnetische Feld selbst lokalisiert werden. Ein wichtiges Ziel unserer Rechnungen ist es, experimentell relevante Ergebnisse zu erzeugen. Daher werden unsere Modellrechnungen vielfach in enger Zusammenarbeit mit lokalen und internationalen Kooperationspartnern durchgführt, um theoretische Ergebnisse experimentell zu überprüfen bzw. experimentelle Befunde theoretisch zu analysieren.

DFG-Verfahren Sachbeihilfen

Beteiligte Personen Professor Dr. Torsten Meier; Professor Dr. Peter Thomas