On-Wafer-Messplatz für Breitband- und Höchstfrequenzschaltungen
Die Fachgruppe befasst sich in Lehre und Forschung mit dem Entwurf von integrierten Höchstfrequenz- und Breitbandschaltungen im Frequenzbereich bis über 100 GHz und mit seriellen Datenraten bis über 100 Gbit/s. Für den Höchstfrequenz- und Breitband-IC-Messplatz sollen ein manueller Wafer-Prober, ein Vektor-Netzwerkanalysator bis 110 GHz, ein Bit-Patterngenerator, ein Sampling-Oszilloskop, sowie ein Sinusgenerator angeschafft werden. Für die Messung von integrierten Schaltungen bei sehr hohen Frequenzen hat sich die on-wafer Messtechnik bewährt, da sie die Messung der Schaltungen ohne Einfluss des Gehäuses ermöglicht. Zur Charakterisierung von Höchstfrequenz-Schaltungen werden klassische Streu-Parameter-Messungen, frequenzumsetzende Streu-Parameter-Messungen und nichtlineare Messungen (gain compression, Intermodulation usw.) benötigt. Für die extrem breitbandigen Digitalschaltungen bis über 100 Gbit/s werden für die Testmustererzeugung Bitmuster-Generatoren mit typischerweise mehreren Kanälen zu 32 Gbit/s (z.B. für 100 Gigabit Ethernet) und darüber benötigt. Mit true-differential-mode S-Parametern lassen sich Breitbandverstärker in differentieller Schaltungstechnik charakterisieren. Die kontinuierliche Messung von S-Parametern von wenigen MHz bis zu 110 GHz ist speziell für die Charakterisierung von Breitbandschaltungen für zukünftige Datenübertragungssysteme notwendig. Für die Auswertung schneller digitaler Signale ist ein Breitband Sampling-Oszilloskop notwendig.
DFG-Verfahren Forschungsgroßgeräte
Großgeräte On-Wafer-Messplatz für Breitband- und Höchstfrequenzschaltungen
Gerätegruppe 2780 Spezielle Meß- und Prüfgeräte für Halbleiter und Röhren (außer 620-659)
Antragstellende Institution Universität Paderborn