{"citation":{"short":"U. Hilleringmann, in: Silizium-Halbleitertechnologie, Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden, 2002, pp. 131–151.","bibtex":"@inbook{Hilleringmann_2002, place={Wiesbaden}, title={Metallisierung und Kontakte}, DOI={<a href=\"https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_8\">10.1007/978-3-322-94119-0_8</a>}, booktitle={Silizium-Halbleitertechnologie}, publisher={Vieweg+Teubner Verlag}, author={Hilleringmann, Ulrich}, year={2002}, pages={131–151} }","ieee":"U. Hilleringmann, “Metallisierung und Kontakte,” in <i>Silizium-Halbleitertechnologie</i>, Wiesbaden: Vieweg+Teubner Verlag, 2002, pp. 131–151.","mla":"Hilleringmann, Ulrich. “Metallisierung Und Kontakte.” <i>Silizium-Halbleitertechnologie</i>, Vieweg+Teubner Verlag, 2002, pp. 131–151, doi:<a href=\"https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_8\">10.1007/978-3-322-94119-0_8</a>.","chicago":"Hilleringmann, Ulrich. “Metallisierung Und Kontakte.” In <i>Silizium-Halbleitertechnologie</i>, 131–151. Wiesbaden: Vieweg+Teubner Verlag, 2002. <a href=\"https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_8\">https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_8</a>.","apa":"Hilleringmann, U. (2002). Metallisierung und Kontakte. In <i>Silizium-Halbleitertechnologie</i> (pp. 131–151). Vieweg+Teubner Verlag. <a href=\"https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_8\">https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_8</a>","ama":"Hilleringmann U. Metallisierung und Kontakte. In: <i>Silizium-Halbleitertechnologie</i>. Vieweg+Teubner Verlag; 2002:131–151. doi:<a href=\"https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_8\">10.1007/978-3-322-94119-0_8</a>"},"publication_identifier":{"isbn":["978-3-322-94119-0"]},"abstract":[{"lang":"eng","text":"Die Metallisierung stellt den elektrischen Kontakt zu den dotierten Gebieten der integrierten Schaltungselemente her und verbindet die einzelnen Komponenten eines Chips durch Leiterbahnen. Sie führt die Anschlüsse über weitere Leiterbahnen zum Rand des Chips und wird dort zu Kontaktflecken (“Pads”) aufgeweitet, die als Anschluss für die Verbindungsdrähte zwischen Chip und Gehäuse oder zum Aufsetzen von Messsonden für die Parametererfassung zum Schaltungstest auf ungesägten Scheiben dienen."}],"language":[{"iso":"eng"}],"_id":"39875","year":"2002","place":"Wiesbaden","publisher":"Vieweg+Teubner Verlag","publication":"Silizium-Halbleitertechnologie","date_created":"2023-01-25T09:06:58Z","status":"public","author":[{"id":"20179","last_name":"Hilleringmann","first_name":"Ulrich","full_name":"Hilleringmann, Ulrich"}],"page":"131–151","user_id":"20179","type":"book_chapter","title":"Metallisierung und Kontakte","date_updated":"2023-03-21T10:03:35Z","department":[{"_id":"59"}],"doi":"10.1007/978-3-322-94119-0_8"}