{"_id":"64537","date_updated":"2026-02-23T13:16:24Z","department":[{"_id":"977"}],"user_id":"15911","date_created":"2026-02-20T10:04:33Z","author":[{"last_name":"Gerhardt","orcid":"0009-0002-5538-231X","full_name":"Gerhardt, Nils Christopher","id":"115298","first_name":"Nils Christopher"},{"last_name":"Hofmann","full_name":"Hofmann, Martin R.","first_name":"Martin R."}],"title":"Experimentelle Methoden zur Bestimmung der optischen Verstärkung von 1.3µm (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern","language":[{"iso":"eng"}],"publication":"Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik bei der DPG","type":"conference","year":"2003","status":"public","citation":{"ieee":"N. C. Gerhardt and M. R. Hofmann, “Experimentelle Methoden zur Bestimmung der optischen Verstärkung von 1.3µm (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern,” 2003.","chicago":"Gerhardt, Nils Christopher, and Martin R. Hofmann. “Experimentelle Methoden Zur Bestimmung Der Optischen Verstärkung von 1.3µm (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern.” In Frühjahrstagung Des Arbeitskreises Festkörperphysik Bei Der DPG, 2003.","ama":"Gerhardt NC, Hofmann MR. Experimentelle Methoden zur Bestimmung der optischen Verstärkung von 1.3µm (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern. In: Frühjahrstagung Des Arbeitskreises Festkörperphysik Bei Der DPG. ; 2003.","bibtex":"@inproceedings{Gerhardt_Hofmann_2003, title={Experimentelle Methoden zur Bestimmung der optischen Verstärkung von 1.3µm (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern}, booktitle={Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik bei der DPG}, author={Gerhardt, Nils Christopher and Hofmann, Martin R.}, year={2003} }","short":"N.C. Gerhardt, M.R. Hofmann, in: Frühjahrstagung Des Arbeitskreises Festkörperphysik Bei Der DPG, 2003.","mla":"Gerhardt, Nils Christopher, and Martin R. Hofmann. “Experimentelle Methoden Zur Bestimmung Der Optischen Verstärkung von 1.3µm (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern.” Frühjahrstagung Des Arbeitskreises Festkörperphysik Bei Der DPG, 2003.","apa":"Gerhardt, N. C., & Hofmann, M. R. (2003). Experimentelle Methoden zur Bestimmung der optischen Verstärkung von 1.3µm (GaIn)(NAs)/GaAs Halbleiterlasern. Frühjahrstagung Des Arbeitskreises Festkörperphysik Bei Der DPG."}}