245 GHz Subharmonic Receivers For Gas Spectroscopy in SiGe BiCMOS Technology

Y. Mao, 245 GHz Subharmonic Receivers For Gas Spectroscopy in SiGe BiCMOS Technology, Verlagsschriftenreihe des Heinz Nixdorf Instituts, Paderborn, 2015.

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Dissertation | English
Author
Mao, Yanfei
Abstract
Die Arbeit befasst sich mit integrierten Schaltungen in SiGe BiCMOS – Technologie für Anwendungen in der Gasspektroskopie. Zunächst wird das Übertragungsleitungsdesign für das 122GHz cascode LNA-Design diskutiert. Verschiedene Topologien für die Übertragungsleitung werden in der glei- chen cascode LNA verglichen. Dann wird das Schaltungsdesign von LNAs bei 245 GHz diskutiert und die mehrstufige gemeinsame Basis LNA vorgestellt. Simulationen und Messergebnisse für die gemeinsame Basis LNA werden vorgegeben. Im nächs- ten Schritt wird die Gestaltung und Transkonduktanz subharmonischer Mischer und passiver subharmonischer Mischer untersucht und realisiert. Mess- und Simulations- ergebnisse des subharmonischen Mischers werden vorgegeben. Dann werden die Simulations- und Messergebnisse der drei integrieten subharmonischen Empfänger von CB LNA und SHM dargestellt und verglichen. Ferner ist ein subharmonischer Empfänger in Gasspektroskopie-Anwendungen beschrieben. Design-Überlegungen für das Basissystem und Messergebnisse werden vorgestellt. Abschließend werden Schlussfolgerungen gezogen.
Publishing Year
Series Title / Volume
Verlagsschriftenreihe des Heinz Nixdorf Instituts, Paderborn
Volume
339
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Mao Y. 245 GHz Subharmonic Receivers For Gas Spectroscopy in SiGe BiCMOS Technology. Vol 339. Verlagsschriftenreihe des Heinz Nixdorf Instituts, Paderborn; 2015.
Mao, Y. (2015). 245 GHz Subharmonic Receivers For Gas Spectroscopy in SiGe BiCMOS Technology (Vol. 339). Verlagsschriftenreihe des Heinz Nixdorf Instituts, Paderborn.
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Y. Mao, 245 GHz Subharmonic Receivers For Gas Spectroscopy in SiGe BiCMOS Technology, vol. 339. Verlagsschriftenreihe des Heinz Nixdorf Instituts, Paderborn, 2015.
Mao, Yanfei. 245 GHz Subharmonic Receivers For Gas Spectroscopy in SiGe BiCMOS Technology. Verlagsschriftenreihe des Heinz Nixdorf Instituts, Paderborn, 2015.

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